Razkrit je novi Appleov patent za hibridni sistem za shranjevanje!

digitimes je citiral poročilo podjetja Tom's Hardware in poudaril, da je z nenehnim razvojem DRAM-a zasnova DRAM-a zaradi različnih ciljev aplikacije vedno bolj zapletena. Modeli, ki se osredotočajo na izboljšanje gostote / zmogljivosti shranjevanja, ponavadi zmanjšajo (ali vsaj ne povečajo) pasovne širine, medtem ko modeli, ki povečujejo pasovno širino, ponavadi zmanjšajo (ali vsaj ne povečajo) zmogljivosti in energetske učinkovitosti. Za oblikovalce SoC je postalo glavni izziv, kako doseči najboljše ravnovesje med pasovno širino pomnilnika, zmogljivostjo, porabo energije in stroški kot odziv na zahteve za uporabo čipov.

Appleov hibridni sistem za shranjevanje, ki temelji na novi patentirani tehnologiji, lahko vključuje vsaj dve različni vrsti pomnilnika DRAM (na primer eden je DRAM z visoko gostoto, drugi pa z nizko gostoto ali DRAM z majhno zakasnitvijo in široko pasovno širino). To pomaga doseči energetsko učinkovito delovanje in povečati kapaciteto za shranjevanje mobilnih naprav in drugih naprav, pri katerih sta poraba energije in razmerje med učinkovitostjo in močjo ključnega pomena.

Poročajo, da patent opisuje uporabo več tehnologij medsebojnega povezovanja, kot je prek silicija prek (TSV), za uresničitev več hibridnih sistemov za shranjevanje, ki združujejo hitri predpomnilnik DRAM in glavni DRAM. Poleg tega prijava patenta zajema SoC, ne pa procesorja za osebni računalnik.

Apple je zgoraj omenjene patentne prijave vložil pri Evropskem patentnem uradu (EPO) in tudi patentnih regulativnih agencijah v ZDA, na Kitajskem in na Japonskem.