2019 Q2 Hynix bo izdelal 10nm procesni pomnilnik druge generacije

  SK hynix je pred kratkim razkril, da bo podjetje povečalo svojo prvo generacijo 10 nanometrov proizvodnega procesa (tj. 1X nm) proizvodnje DRAM-a in bo začelo prodajati svojo drugo generacijo 10 nanometrske proizvodne tehnologije (znano tudi kot 1Y nm) v drugi polovici leto. Spomin. Pospešitev prehoda na 10nm tehnologijo bo podjetju omogočila povečanje izhoda DRAM-a, kar bo na koncu zmanjšalo stroške in pripravilo pomnilnik naslednje generacije.

Prvi izdelki, izdelani s proizvodno tehnologijo SK Hynix 1Y nm, bodo pomnilniški čip DDR4-3200 z zmogljivostjo 8 Gb. Proizvajalec pravi, da lahko zmanjša velikost čipov 8 GB DDR4 naprav za 20% in zmanjša porabo energije za 15% v primerjavi s podobnimi napravami, izdelanimi z uporabo 1X nm proizvodne tehnologije. Poleg tega ima prihajajoči čip SK Hynix 8Gb DDR4-3200 dve pomembni izboljšavi: 4-fazno umerjanje in Sense ojačevalnik.

Čeprav so te tehnologije pomembne tudi za DDR4 letos, naj bi SK hynix uporabil svoj 1Y nm proizvodni proces za izdelavo DDR5, LPDDR5 in GDDR6 DRAM. Zato mora Hynix čim prej nadgraditi svojo proizvodno tehnologijo 10 nanometrov, da se pripravi na prihodnost.